摘要：基于0.15μm砷化鎵贗配高電子遷移率晶體管(GaAs PHEMT)工藝,設計并實現了一款K波段的平衡式矢量調制器微波單片集成電路(MMIC)芯片。該矢量調制器集成了Lange耦合器、雙相幅度調制器和威爾金森功率合成器,其中雙相幅度調制器采用平衡式結構對幅度和相位失真進行了補償。當工作電壓以10 mV為步進,從-0.9~0 V掃描時,矢量調制器MMIC實現了連續幅度調制和0°~360°的相位調制。測試結果表明,在18~26 GHz頻率內,最大調幅深度大于27 dB,插入損耗小于8.1 dB,輸入電壓駐波比小于1.3∶1,輸出電壓駐波比小于1.5∶1。平衡式矢量調制器MMIC尺寸為2.4 mm×2.5 mm,該電路具有插入損耗小、芯片尺寸小、功耗低等特點,可廣泛應用于數字通信系統中。