β-Sn與4H-SiC界面性質的第一性原理計算
馬志鵬; 李昊宣; 張茗瑄; 許志武 東北石油大學材料科學與工程系; 黑龍江大慶163318; 哈爾濱工業大學先進焊接與連接國家重點實驗室; 黑龍江哈爾濱150001
- sic陶瓷
- sn基釬料
- 界面
- 電子結構
- 第一性原理
摘要：為研究金屬釬料與SiC陶瓷的界面結合方式,采用基于密度泛函理論的第一性原理方法,對Sn(001)/4H-SiC(0001)界面進行幾何優化,得到優化后界面體系的結構,從分離功表征結合強度以及電子結構布居分析的角度解釋界面結合本質和鍵合方式。結果表明:SiC陶瓷中C封端界面的分離功高于Si封端界面的分離功,Sn原子與C原子間形成的離子共價鍵在界面結合的成鍵中占有主要的地位。
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