摘要：針對(duì)連續(xù)離子層吸附反應(yīng)法的吸附不足工藝問(wèn)題進(jìn)行改進(jìn)。采用旋凃方式代替提拉方式的連續(xù)離子層吸附反應(yīng)法研究改進(jìn)后的連續(xù)離子層吸附反應(yīng)法工藝條件對(duì)薄膜附著性能的影響,并且研究吸附過(guò)程中鍍膜次數(shù)、鍍膜時(shí)間、反應(yīng)物的濃度對(duì)薄膜生長(zhǎng)過(guò)程的影響。運(yùn)用X射線衍射儀（XRD）對(duì)薄膜的晶相組成進(jìn)行分析表征。對(duì)改進(jìn)后的方法所制備薄膜的層數(shù)和晶粒大小的關(guān)系曲線進(jìn)行分析。結(jié)果表明改進(jìn)后的連續(xù)離子層吸附反應(yīng)法在鍍膜層數(shù)為25~30層能有效制備出XRD峰值較好、晶粒較大的Cd S薄膜。