摘要：針對互補金屬氧化物半導體(CMOS)霍爾傳感器的靈敏度和采集帶寬問題,對CMOS霍爾傳感器的時間限制進行了仿真分析。對現代物理模擬器對CMOS霍爾傳感器的瞬態特性進行分析,采用CMOS技術實現了方形霍爾傳感器的三維模型,通過電流輸運模型對硅器件的磁場效應進行了數值模擬。為了分析響應時間,對整個電路進行了混合模SPICE物理模擬,即三維器件加偏壓方案。仿真結果表明:模型化設備的響應時間很快,采集帶寬在兆赫范圍內。沉降時間主要取決于傳感器的物理結構,更高濃度的N孔可以實現更快的霍爾器件,但這將降低傳感器的靈敏度。