摘要：采用silvaco-TCAD研究In0.53Ga0.47As/InP SAGCM-APD光電探測器,對探測器的結(jié)構(gòu)參數(shù)對器件的電場分布、擊穿電壓和貫穿電壓的影響進行仿真分析.研究表明電荷層對器件內(nèi)部電場起到更好的調(diào)節(jié)作用,但過高的電荷層面密度會導(dǎo)致APD探測器的擊穿電壓與貫穿電壓之差減小.倍增層厚度的增加使擊穿電壓先減小后增高,貫穿電壓線性增加,同時耗盡層寬度變大,使器件電容減小.當(dāng)倍增區(qū)厚度1μm、偏壓為-5V時,器件電容密度達(dá)到了4.5×10-17F/μm.反向偏置電壓為30V時,APD探測器在1.31μm和1.55μm波長下的響應(yīng)度分別達(dá)到1A/W和1.1A/W.