摘要：硅功率器件已接近其理論物理性能的極限?；趯捊麕О雽w材料的電力電子系統能夠實現更高的功率密度和電能轉換效率,而具有高臨界電場和載流子遷移率的氮化鎵被認為是未來高功率、高頻和高溫應用的最有希望的候選者之一,而由品質因子給出的氮化鎵基功率器件的綜合性能具有大于1000倍于硅器件的理論極限。目前已產業化的氮化鎵功率晶體管主要基于水平結構,但垂直結構更有利于實現更高電壓和更大電流。隨著氮化鎵襯底材料的逐漸成熟,近期垂直結構氮化鎵功率器件成為了學術界和產業界的研究熱點,并被認為是下一代650~3300V電力電子應用的候選器件?；诖?回顧了垂直結構氮化鎵晶體管的最新進展,特別是與器件相關的材料和工藝問題,并總結了開發高性能垂直結構氮化鎵功率晶體管的主要挑戰。