摘要：氮化鎵GaN(gallium nitride)材料非常適合應(yīng)用于高頻、高功率、高壓的電子電力器件當(dāng)中。目前,GaN功率電子器件技術(shù)方案主要分為Si襯底上橫向結(jié)構(gòu)器件和GaN自支撐襯底上垂直結(jié)構(gòu)器件2種。其中,橫向結(jié)構(gòu)器件由于制造成本低且有良好的互補(bǔ)金屬-氧化物-半導(dǎo)體CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)工藝兼容性已逐步實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,但是存在材料缺陷多、常關(guān)型難實(shí)現(xiàn)、高耐壓困難以及電流崩塌效應(yīng)等問題;垂直結(jié)構(gòu)器件能夠在不增大芯片尺寸的條件下實(shí)現(xiàn)高擊穿電壓,具有非常廣闊的市場前景,也面臨著材料生長、器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和可靠性等方面的挑戰(zhàn)?；诖?主要針對這兩種器件綜述介紹并進(jìn)行了展望。