摘要：在原有的超結Trench VDMOS技術的基礎上引入部分埋氧層,設計了一種新型的部分埋氧的抗輻照超結溝槽功率器件。在Sentaurus TCAD軟件環境下,使用SDE和Sdevice仿真模擬,通過調節部分埋氧層的長度,埋氧深度以及厚度等參數,對其耐壓,導通電阻,動態特性以及抗輻照能力進行仿真和分析。當埋氧層深度為0.8 μm,埋氧層長度0.4 μm,其耐壓相對于傳統的超結Trench VDMOS提高了10%, Vgate=4.5V時Rdson為7.74E4 Ω·μm,器件抗輻照能力大大提高。