摘要：大功率SiC混合模塊向著小型化、輕量化、大功率等要求發(fā)展時,隨著功率等級不斷提高,模塊散熱功耗增加,其最高溫度也隨之增加。過高的溫度會對模塊性能造成嚴(yán)重的影響,降低其可靠性和使用壽命,因此SiC混合模塊的散熱問題具有重要的研究意義。介紹了SiC混合模塊的封裝結(jié)構(gòu),通過兩方面改善其散熱性能:調(diào)整納米銀層的參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化;將高導(dǎo)熱石墨烯應(yīng)用于SiC混合模塊中,并通過模擬仿真對比石墨烯應(yīng)用于芯片不同位置的溫度分布情況,從而得出SiC混合模塊散熱結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計。