摘要：提出了一種基于雙極性擴散方程的PIN二極管的一維物理計算模型。該模型主要針對PIN二極管的正向溫度特性研究,考慮了載流子擴散系數、載流子遷移率、禁帶變窄效應、載流子壽命隨溫度變化的影響。介紹了雙極性擴散方程的傅里葉級數解,利用方程的傅里葉級數解推導得到一組微分方程,并采用迭代法求解。利用該模型計算分析了4H-SiC PIN二極管在298~498 K溫度下的正向電學特性,分析了PIN二極管的PN結處的電子電流和空穴電流的分布,結合SILVACO-TCAD仿真軟件,設計了一種器件結構,仿真結果與計算模型基本吻合。最后結合實驗數據驗證了模型的準確性。