HgCdTe雪崩光電二極管的研究進(jìn)展
宋淑芳; 王小菊; 田震 華北光電技術(shù)研究所; 北京100015
- hgcdte
- 雪崩二極管
摘要：碲鎘汞紅外雪崩光電二極管(APD)陣列作為最近十多年來(lái)發(fā)展起來(lái)的新型探測(cè)器,以其高增益、高靈敏度和高速探測(cè)的優(yōu)點(diǎn),成為未來(lái)微弱信號(hào)探測(cè)、二維/三維成像、主/被動(dòng)探測(cè)應(yīng)用的重要器件。本文重點(diǎn)闡述了雪崩光電二極管的基本原理、以及HgCdTe雪崩光電二極管材料和器件的研究,結(jié)合應(yīng)用方向?qū)ζ溲芯窟M(jìn)展進(jìn)行了綜述性介紹。
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