學術刊物 生活雜志 SCI期刊 文秘服務 出版社 登錄/注冊 購物車(0) 400-838-9662
摘要:太赫茲CMOS電路具有小型化、與大規模硅基工藝兼容的特點,非常適合未來太赫茲通信以及5G通信的應用。本文以太赫茲CMOS本振電路為切入點,調研了國際和國內的最新CMOS倍頻器電路結構,在此基礎上,對推推(push-push)倍頻器、注入鎖定倍頻器以及混頻倍頻器的電路結構和特點進行了詳細介紹。通過對以上幾種倍頻器的分析對比,總結了不同的倍頻器在實際應用中的優缺點,為太赫茲射頻前端小型化實際應用奠定基礎。
注:因版權方要求,不能公開全文,如需全文,請咨詢雜志社
投稿咨詢 文秘咨詢
主管單位:中國工程物理研究院;主辦單位:中國工程物理研究院電子工程研究所
一對一咨詢服務、簡單快捷、省時省力
直郵到家、實時跟蹤、更安全更省心
去除中間環節享受低價,物流進度實時通知
正版雜志,匹配度高、性價比高、成功率高