一種12位2 GS/s BiCMOS采樣保持電路
孫偉; 王永祿; 楊鑫; 何基 重慶郵電大學光電工程學院; 重慶400065; 模擬集成電路國家重點實驗室; 重慶400060
- 采樣保持電路
- sige
- bicmos工藝
- 射極跟隨開關
摘要：基于130 nm BiCMOS工藝,設計了一種12位高速采樣保持電路,對電路的主要性能進行了分析。電路采用差分結構,采樣開關是開環交換射極跟隨開關。在輸入信號范圍內,緩沖器的線性度較高。采用Cadence Spectre軟件進行仿真。結果表明,當采樣率為2 GS/s,模擬輸入差分信號為992 MHz頻率、0.5Vpp幅度的正弦波時,SFDR達75.11 dB,SNDR達73.82 dB,電路功耗僅為98 mW,滿足了12位采樣保持的要求。
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