摘要：空間電荷的特性及分布狀態(tài)直接改變介質(zhì)內(nèi)部電場(chǎng)的強(qiáng)弱,嚴(yán)重影響器件的電學(xué)性能。近年來(lái),納米材料和微納電子器件飛速發(fā)展,在納米量級(jí)乃至更小尺度上探測(cè)和掌握空間電荷的特征信息成為亟待解決的問(wèn)題。為此基于脈沖電聲法基本原理,設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種基于太赫茲波和彈光取樣技術(shù)的空間電荷分布測(cè)試新方法。基于應(yīng)力雙折射效應(yīng)原理,設(shè)計(jì)制作了彈光取樣傳感器,并測(cè)試了性能。搭建了空間電荷測(cè)試系統(tǒng),對(duì)定制硅PN結(jié)試樣進(jìn)行了測(cè)試,空間電荷區(qū)寬度隨偏置電壓的變化規(guī)律與PN結(jié)基本電學(xué)特性吻合。該方法采用全光學(xué)技術(shù)手段,克服了傳統(tǒng)電子測(cè)試技術(shù)對(duì)系統(tǒng)帶寬的限制,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該測(cè)試方法可以有效且可靠地將空間電荷測(cè)試分辨率提升至納米量級(jí)。