選區(qū)激光熔化AlSi10Mg應(yīng)力場數(shù)值模擬研究

李保強; 李忠華; 白培康; 聶云飛; 蒯澤宙; 徐成棟中北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院; 山西太原030051; 中北大學(xué)機械工程學(xué)院; 山西太原030051; 中北大學(xué)先進制造技術(shù)山西省重點實驗室; 山西太原030051

選區(qū)激光熔化
alsi10mg
數(shù)值模擬
應(yīng)力場

摘要：采用ANSYS有限元軟件,利用熱—結(jié)構(gòu)間接耦合的方法建立單層多道的應(yīng)力場模型,對選區(qū)激光熔化AlSi10Mg應(yīng)力場進行模擬。分析r內(nèi)應(yīng)力的分布和演變規(guī)律,以及不同曝光時間和點間距對殘余應(yīng)力的影響。研究發(fā)現(xiàn),溫度均勻化后熔池搭接區(qū)域的殘余應(yīng)力高(最高殘余應(yīng)力),中心區(qū)域的殘余應(yīng)力低(最低殘余應(yīng)力)。隨著ET和PD的增加,最高殘余應(yīng)力逐漸增大。然而,進一步增加PD,缺陷的形成導(dǎo)致應(yīng)力有所降低。隨著ET的增加和PD的降低,最低殘余應(yīng)力增加。

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