摘要：運(yùn)用密度泛函方法在（U）B3LYP／LanL2DZ水平上研究了四棱柱、五棱柱、六棱柱和七棱柱型封裝Cd硅納米管的幾何結(jié)構(gòu)、電荷布局、能級(jí)和電偶極矩．計(jì)算結(jié)果表明，四棱柱、六棱柱和七棱柱型Cd硅納米管的最低能結(jié)構(gòu)都是自旋單重態(tài)，四棱柱和五棱柱型Cd硅納米管畸變比較嚴(yán)重，已經(jīng)失去管狀結(jié)構(gòu)．四棱柱型Cd硅納米管的原子平均結(jié)合能最大，是這四種棱柱型Cd硅納米管中熱力學(xué)穩(wěn)定性最強(qiáng)的．這四種棱柱型Cd硅納米管的電荷都是由Cd原子轉(zhuǎn)向Si原子的，Cd原子是電荷的施體；Si原子是電荷的受體，Cd原子與硅原子之間以共價(jià)鍵結(jié)合．五棱柱型Cd硅納米管HOMO-LUMOGap最大，它的化學(xué)活性最強(qiáng)，而四棱柱型Cd硅納米管的HOMO-LUM0能隙最小，它的化學(xué)穩(wěn)定性最強(qiáng)，不易和其他物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)．四棱柱型Cd硅納米管的總電偶極距為零，該結(jié)構(gòu)是非極性的，而五棱柱、六棱柱和七棱柱型Cd硅納米管是極性的，且五棱柱型Cd硅納米管的極性最強(qiáng)．