摘要：本文詳細的敘述了SiC SBD和SiC MOSFET器件Pspice建模過程,SiCSBD由于結構簡單,本文根據Pspice Referenceguide中提到的二極管物理參數提取理論,詳細敘述參數提取和溫度特性擬合。從而建立一個簡單實用的器件模型。借助于功率分析儀對SiC MOSFET進行參數測試。運用matlab進行導通電阻,閾值電壓,跨導等相關參數擬合,然后進一步擬合出輸出輸入特性曲線。對SiC MOSFET的極間電容做最簡單的處理,且考慮極間電容隨VDS兩端電壓的變化而變化。最后對比不同溫度下的SiCMOSFET器件實測數據和仿真數據。仿真結果在滿足精準度的同時并且有很好的收斂性。